郭益平
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罗豪甦
,
潘晓明
,
徐海清
,
殷之文
无机材料学报
测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性,研究结果发现,<001>取向的PIN—PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ-1％,k33值最大可达到95％,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10％.研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN—PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.
关键词:
PIN-PT单晶
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dielectric
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piezoelectricity
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temperature stability
陆翠敏
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刘庆锁
,
左建波
,
孙清池
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00271
探讨了硬性添加物MnO2、软性添加物Nb2O5和两性添加物Cr2O3对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT5)压电陶瓷的相组成及温度稳定性的影响. 研究结果发现: 各掺杂组成在900℃的煅烧温度下, 都可以得到钙钛矿结构. 随着各掺杂离子的增大, 四方相含量减少, 准同型相界向三方相移动. 综合考虑离子掺杂对PMSZT5压电陶瓷的机电性能及温度稳定性的研究结果表明: 锰过量较其它铌和铬掺杂的温度稳定性更好, 机电性能最佳的PMSZT5+0.1wt% MnO2的组成, ε33T/ε0=1560, d33=350pC/N, Kp=0.63, -25~80℃的fr、K31和d31平均温度系数分别为72×10-6/℃、-0.027%/℃和0.100%/℃.
关键词:
PMSZT压电陶瓷
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doping
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crystallographic phase
,
temperature stability
雷文
,
吕文中
,
王晓川
,
梁军
,
江建军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00957
利用常规固相法制备了ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷, 研究了CaTiO3对其相成分、微观组织结构和微波介电性能的影响规律. 结果表明, CaTiO3能有效地改善(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)材料的烧结性能, 使其致密化温度降低150℃. ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷体系中包括ZnAl2O4基尖晶石相、CaTiO3、MgTi2O5和Zn2Ti3O8相, 当烧结温度高于1400℃时, Zn2Ti3O8相消失. 随着CaTiO3含量的增加, 体系中CaTiO3相含量增加而MgTi2O5相含量减少, 且CaTiO3具有显著地调节谐振频率温度系数的作用. 当在(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)体系中掺入6mol%的CaTiO3添加剂时, 经1400℃烧结后能获得温度稳定性好的微波介质陶瓷材料, 其微波介电性能为：εr=11.8, Q·f=88080GHz, τf=-7.8×10－6/℃.
关键词:
ZnAl2O4基陶瓷
,
spinel structure
,
micro-wave dielectric properties
,
temperature stability
周飞
,
龙纪文
,
孟中岩
无机材料学报
研究了软性Nb2O5掺杂对PMS-PZ-PT三元系压电陶瓷温度稳定性能的影响.实验结果表明,适量的掺杂不仅能优化体系的压电性能,而且改善了体系的温度稳定性.改性后的三元系陶瓷频移小,机电耦合系数K31的温度稳定性较好,同时压电常数d31温度稳定性也得到了改善,能满足超声马达等器件对压电陶瓷材料性能的要求.
关键词:
PMS-PZ-PT
,
temperature stability
,
Nb-doping
,
high power
赵莎莎
,
孙清池
,
吴浩
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00375
采用传统的固相烧结方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷, 并通过添加MnO2、Sb2O3和Cr2O3以及改变Zr/Ti比来达到提高K p和Q m的目的. 同时也对Zr/Ti比对材料温度稳定性的影响进行了分析. 实验结果表明: 在960℃的预烧温度、1240℃的烧成温度下, 添加少量的MnO2、Sb2O3和一部分Cr掺杂, 得到综合性能优良的压电材料: 室温下介电常数ξ33T/ξ0=1669, 压电常数d33=285×10-12C/N, 机械品质因数Q m=2179, 机电耦合系数K p=54.9%, 介电损耗tanδ=0.4%. 可以满足超声马达和压电变压器等应用方面的要求.
关键词:
压电陶瓷
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dielectric and piezoelectric properties
,
morphotropic phase boundary
,
temperature stability
时红昊
,
王立军
,
宋翀旸
钢铁研究学报
doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20130419
对比了Fe73.5Cu1Mo3Si15.5B7超微晶合金和目前逆变焊机主变压器普遍采用的Fe73.5Cu1Nb3Si15.5B7铁芯的静态和动态磁性能.重点研究了两种材料铁芯的饱和磁致伸缩系数、10～40kHz范围内的高频性能和脉冲性能、-40～140℃间的损耗及磁导率变化.研究结果表明,Fe73.5Cu1Mo3Si15.5B7铁芯可获得低的高频损耗、高磁导率、较低的饱和磁致伸缩系数及良好的温度稳定性,满足逆变焊机主变压器对铁芯材料的要求,同时,Fe73.5Cu1Mo3Si15.5B7带材韧性更高,可改善材料制备的工艺性能和快淬带材的力学性能,提高成材率.
关键词:
超微晶合金
,
热处理工艺
,
逆变焊机主变压器
,
高频性能
,
饱和磁致伸缩系数
,
温度稳定性
姬万滨
,
初瑞清
,
徐志军
,
郝继功
,
程仁飞
材料研究学报
用固相合成法制备SrNa05Bi45Ti5O18+x％(质量分数)CeO2(SNBTCx)铋层状无铅压电陶瓷,研究了CeO2掺杂对SNBTCx陶瓷微观结构和电性能的影响.结果表明,CeO2掺杂并未改变SNBTCx陶瓷的晶体结构,所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷;CeO2掺杂没有使SNBTCx陶瓷居里温度发生明显变化,居里温度均高于560℃;随着CeO2掺杂量的增加SN-BTCx陶瓷材料的介电常数减小,但是其介电损耗先增大后减小.当CeO2掺杂量为0.3％(质量分数)时SNBTC0.03陶瓷具有最优电性能:Tc=567℃,d33=29 pC/N,tanδ=0.015,且在500℃退极化处理后,其d33仍保持在22 pC/N以上,说明SNBTC0.03陶瓷可在高温下应用.
关键词:
无机非金属材料
,
高温压电陶瓷
,
铋层状
,
压电性能
,
温度稳定性
乔辉
,
宋武辉
材料科学与工程学报
采用固相反应法,制备了[0.9 (Bi0.5Na0.5) TiO3-0.1Ba(Ti0.95Zr0.55)O3]+xwt％ Sb2O3无铅压电陶瓷,研究了Sb2O3掺杂对样品相结构、介电、铁电性能的影响.实验结果表明:所有样品都形成了纯的钙钛矿结构,无第二相生成.材料存在明显的弛豫现象,从而改善了介电高温温度稳定性(在x=0.6wt％组分、1kHz下、150℃～250℃范围内,介电常数保持在4000左右),但结果同时也表明掺杂使铁电稳定性降低.
关键词:
弛豫性
,
温度稳定性
,
铁电性能
